Käesolev doktoritöö sisaldab ränikarbiidil (SiC) ja grafeenil põhinevate pooljuhtseadiste numbrilisi simulatsioone jõuelektroonika ja gaaside detektorite rakenduste jaoks. 
Käesoleva doktoritöö esimeses osas analüüsitakse SiC heterostruktuuriseadmete valmistamiseks difusioonkeevituse niššitehnoloogiat. See tehnoloogia on võrreldes teistega odav ja on vähenõudlikum (ruumi puhtus, pindade eeltöötlus) kavandatud seadiste valmistamiseks. SiC-heterostruktuuride  valmistamine viidatud tehnoloogiaga vähendab valmistamisprotsessi keerukust ja kulusid. Saadud pooljuhtseadis võib olla analoogilise jõudlusega võrreldes tipptasemel epitaksiaalse kasvu tehnikaga.
Käesoleva uurimistöö teises osas on simuleeritud grafeenil põhinevaid uudseid seadiseid erinevate toksiliste, tuleohtlike ja keemiliselt agressiivsete ühendite, nagu fenool, metanool, metaan, atsetoon, propaan, butaan, benseen ja vesiniksulfiid, avastamiseks.

Juhendajad: dotsent Ants Koel ja vanemteadur Toomas Rang (Tallinna Tehnikaülikool)

Oponendid:

• professor Márta Rencz (Budapesti Tehnika- ja Majandusülikool, Ungari)
• professor Serge Dos Santos, Hab. Dir. Rech (INSA Centre Val de Loire, Prantsusmaa)

Doktoritöö on avaldatud Tehnikaülikooli raamatukogu digikogus