Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituudi doktorant Mehadi Hasan Ziko kaitseb 29. novembril 2021 algusega kell 13:00 oma doktoritööd "Characterization of Interfaces Between the Metal Film and Silicon Carbide Semiconductor" ("Metallkontakti ja ränikarbiidi vahelise liidespinna karakteriseerimine"). Kaitsmine toimub Tehnikaülikooli peamaja II õppehoone ruumis U02-208 (Ehitajate tee 5) ning on jälgitav veebirakenduse MS Teams vahendusel.
Schottky dioodist (SBD) on saanud enamiku kaasaegsete elektroonikaskeemide oluline koostisosa. Need seadised sobivad hästi rakendamiseks kõrgsageduslikes- ja kiiret ümberlülitumist nõudvates elektroonilistes skeemides ning vooluahelakaitseks juhusliku- või induktiivse vastupinge eest. Lisaks laialdasele kasutamisele madala päripinge pingelanguga seadistena on Schottky dioodid kasutavad andurite- ja valgusdioodena. Ränikarbiidil (SiC) põhineva SBD atraktiivsed omadused ja lai valik rakendusi võrreldes ränil (Si) põhineva SBD-ga, annavad motivatsiooni valdkonnapõhiseks intensiivseks uurimis- ja arendustööks. Viimastel aastakümnetel on pälvinud tähelepanu SiC polütüüpidel põhinev Schottky diood oma väljapaistvate füüsikaliste ja elektriliste omaduste tõttu. SBD turuosa laieneb peamiselt 4H-SiC-l põhinevatel seadistel, seda materjali tehnoloogilise parema käideldavuse ja kättesaadavuse tõttu.
Käesolevas diplomitöös on uuritud pooljuhitööstuses kasutatavat nišitehnoloogiat, mida nimetatakse difusioonkeevitamiseks (DW), ja viidatud tehnoloogia rakendust alumiiniumkontaktidega SiC-põhiste Schottky dioodide (SBD) tootmiseks. Uuritakse SiC kui pooljuhtmaterjali, SiC erinevaid struktuure, metalli-pooljuhtide kontakti teooriat ja punktdefekte.
Juhendajad: dotsent Ants Koel ja vanemteadur Tamas Pardy (Tallinna Tehnikaülikool)
Oponendid:
- professor Márta Rencz (Budapesti Tehnika- ja Majandusülikool, Ungari)
- vanemlektor Jawad Ul-Hassan (Linköpingi Ülikool, Rootsi)
Doktoritöö on avaldatud Tehnikaülikooli raamatukogu digikogus.