Materjali- ja keskkonnatehnoloogia instituudi doktorant Sajeesh Vadakkedath Gopi kaitseb 27. novembril 2025 algusega kell 13:00 oma doktoritööd "Development of CdS/Sb2Se3 Thin Film Solar Cells: Implications of CdS Processing on Absorber Layer Properties and Device Performance" ("CdS/Sb2Se3 õhukesekilelise päikesepatarei arendus: CdS kihi tehnoloogia mõju absorberkihi omadustele ja seadise efektiivsusele"). Kaitsmine toimub Tallinna Tehnikaülikooli peamaja VI õppehoone ruumis U06-442 (Ehitajate tee 5).
Antimonseleniid (Sb2Se3) on kerkinud esile kui paljulubav absorbermaterjal uue põlvkonna õhukesekilelistes päikesepatareides, sest tegemist on mittetoksilise ühendiga, mille keemilisi elemente leidub maapõues rohkesti, tal on optimaalne keelutsooni laius ning kõrge neeldumistegur. Lihtsa binaarse ühendina on Sb2Se3 süntees ja sadestamine lihtne ning sobib hästi skaleeritavate vaakummeetoditega, nagu lähidistants-sublimatsioon (ingl close-spaced sublimation (CSS)) ja aurutransport-sadestamine (ingl vapor transport deposition (VTD)). Sealjuures lubab just VTD täpselt kontrollida sadestamisparameetreid, nagu substraadi-lähteaine vahekaugus (DSo-Sub), temperatuur ja aeg, võimaldades kasvatada vertikaalselt orienteeritud kolonnilisi kristalliteri, mis hõlbustavad laengukandjate liikuvust ja parandavad seeläbi seadme kasutegurit.
Doktoritöö eesmärk on arendada CdS/Sb2Se3 päikesepatareisid VTD meetodil, alates tootmisprotsessi põhjalikust uurimisest, CdS töötlemisest ja tema mõjust CdS/Sb2Se3 piirpinnale, kuni tervikliku seadme valmistamise, optimeerimise ja defektide karakteriseerimiseni.
Doktoritöö esitleb põhjalikku uurimust VTD meetodil valmistatud CdS/Sb2Se3 õhukesekileliste päikesepatareide arendamisest, tuues esile tugevat ristsõltuvust CdS elektrontranspordikihi valmistamise, CdS/Sb2Se3 heterosiirde piirpinna kujunemise ja Sb2Se3 absorberkihi kasvu dünaamika vahel. Süsteemsed uuringud CdS kihi järeltöötluse, kloori lisamise sadestuslahusesse ja Sb2Se3 kasvu tingimuste optimeerimise kohta näitavad selgeid võimalusi kilede kvaliteedi, piirpinna omaduste ja seadmete jõudluse parandamiseks.
Töö uudsus seisneb CdS/Sb2Se3 heterosiirde mõistmise ja optimeerimise integreeritud lähenemises, mis ühendab protsessitehnika, defektide analüüsi ja heterosiirde karakteriseerimise iseloomustamise. Antud töös arendati uus meetod kloori lisamiseks keemilise vanni sadestamise kaudu, mis mõjutab oluliselt kaadmiumi difusiooni ja seadme kasutegurit. Esmakordselt tõendati SIMS analüüsiga kloori lisandumist CdS kristallivõresse ning Cd difusiooni Sb2Se3 absorberkihti ning vastastikuseid difusiooniprotsesse CdS/Sb2Se3 piirpinnal. See töö annab uusi teadmisi heterosiirde piirpinnaga seotud defektidest TAS-analüüsi kaudu ning esitleb optimeeritud VTD kasvuparameetreid, mis parandavad Sb2Se3 kile omadusi ja seeläbi seadme jõudlust. Doktoritöö tulemused on olulised õhukesekileliste Sb2Se3 päikesepatareide fundamentaalsel mõistmisel ja panustavad seadise tehnoloogia arendamisele.
Doktoritöö on avaldatud Tehnikaülikooli raamatukogu digikogus
Juhendajad: nooremprofessor Nicolae Spalatu ning vanemteadur Atanas Katerski (TalTech)
Oponendid:
- professor Alessandro Romeo (Verona Ülikool, Itaalia)
- professor Aile Tamm (Tartu Ülikool, Eesti)